Regulador lineal “low dropout” (LDO) y referencia de tensión “buffered” interna. El regulador de conmutación “on-time” depara tensión de alimentación muy precisa (VDDQ) al chip de memoria con rápida respuesta de conversión CC/CC y rendimiento superior al 90%. Protege a la memoria de transitorios, supervisa la tensión de salida y ajusta la frecuencia al contador en la corriente de carga.
Un modo de ahorro de consumo reduce la frecuencia de conmutación en condiciones de carga ligera. El regulador low dropout, que puede operar con 3 A de pico, crea una tensión de terminales de memoria (VTT) muy precisa, que aumenta la fiabilidad de la memoria DDR y puede operar con condensadores cerámicos de salida. Se presenta en cápsula MLPQ-24 sin plomo de 4x4 mm, que integra también la circuitería externa para memorias DDR.